特許

J-GLOBAL ID：200903077973702686

配線構造及びその形成方法

発明者： 青井 信雄
出願人/特許権者： パナソニック株式会社
代理人 (11件)： 前田 弘 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守 ,  関 啓 ,  杉浦 靖也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-288491
公開番号（公開出願番号）：特開2009-117591
出願日： 2007年11月06日
公開日（公表日）： 2009年05月28日
要約：

【課題】低抵抗及び高信頼性の金属配線構造を提供する。【解決手段】配線構造は、下層配線(2)上に形成された層間絶縁膜(4)と、層間絶縁膜(4)に形成され、下層配線(2)を露出する接続口(5)と、接続口(5)の底部に形成された複数のカーボンナノチューブ(8)と、複数のカーボンナノチューブ(8)間を充填するように、接続口(5)の内部に埋設された配線金属(10、11)と、接続口(5)の上部に形成された上層配線(15)とを備える。複数のカーボンナノチューブ(8)と上層配線(15)との間には、Ti層9が形成されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

下層配線上に形成された層間絶縁膜と、 前記層間絶縁膜に形成され、前記下層配線を露出する接続口と、 前記接続口の底部に形成された複数のカーボンナノチューブと、 前記複数のカーボンナノチューブ間を充填するように、前記接続口の内部に埋設された配線金属と、 前記接続口の上部に形成された上層配線とを備え、 前記複数のカーボンナノチューブと前記上層配線との間には、Ti層よりなる上層金属層が形成されている、配線構造。

IPC (5件)：

H01L 21/320 ,  H01L 23/52 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/522 ,  H01L 29/06

FI (3件)：

H01L21/88 M ,  H01L21/90 B ,  H01L29/06 601N

Fターム (31件)：

5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033HH18 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ00 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK11 ,  5F033KK21 ,  5F033KK32 ,  5F033MM01 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN01 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ73 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033SS11 ,  5F033XX09

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置、及びその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-263486   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所