光半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：柏谷昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-314378
公開番号（公開出願番号）：特開平8-172217
出願日： 1994年12月19日
公開日（公表日）： 1996年07月02日
要約：

【要約】【目的】光半導体装置に関し、狭い発光スペクトル幅を有し、発光効率が高い発光ダイオード、半導体レーザ、面発光型半導体レーザ等の光半導体装置を提供する。【構成】活性層が複数の量子細線QWからなり、各量子細線QWはキャリアがトンネルできる少なくとも1個の隣接する量子細線QWを有する構造を有し、電流注入あるいは光励起によって発生したキャリアを相対的にエネルギーが低い量子細線QWに順次トンネルさせて、この相対的にエネルギーが低い量子細線QWで発光させることによって狭い発光スペクトル幅を有する発光を得る。この量子細線を量子箱によって代えることができる。低温ではキャリアのトンネル速度が小さいためエネルギーが高い量子細線で発光するものもあって発光スペクトル幅が広いが、室温ではキャリアのトンネル速度が大きいためエネルギーが低い量子細線で発光するものが多く発光スペクトル幅が狭くなる。

請求項（抜粋）：

活性層が複数の量子細線からなり、該量子細線はキャリアがトンネルできる少なくとも1個の隣接する量子細線を有する構造を有し、電流注入あるいは光励起によって発生したキャリアを相対的にエネルギーが低い量子細線に順次トンネルさせて、該相対的にエネルギーが低い量子細線で発光させることを特徴とする光半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 33/00 , H01L 29/06 , H01L 29/66 , H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (14件)

特開平4-120784
面形発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-020489 出願人：日本電信電話株式会社
面発光レーザダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-203383 出願人：日本電信電話株式会社

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