特許
J-GLOBAL ID：200903078009012944
半導体装置及びその作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-164643
公開番号（公開出願番号）：特開平7-321339
出願日： 1994年06月22日
公開日（公表日）： 1995年12月08日
要約：
【要約】【目的】 結晶性が良好で、しかもその結晶成長方向を制御した珪素膜を得る。またその珪素膜を用いて半導体装置を構成する。【構成】 ガラス基板上に形成された非晶質珪素膜に対して選択的に結晶化を助長する金属元素(例えばニッケル元素)を導入する。そして加熱処理を施すことにより、前記金属元素が導入された領域から基板に平行な方向に結晶成長を行わす。この結晶成長は〔111)軸方向に行われる。この〔111〕軸方向は、他の方向に比較して低い導電率を有している。そしてこの結晶成長方向をキャリアが移動するようにデバイスを構成することで、高い電気特性を有するデバイスを得ることができる。
請求項（抜粋）：
基板上に設けられた結晶性を有する非単結晶珪素半導体膜を用いた半導体装置であって、結晶成長面は概略(111)面であることを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 29/786
, H01L 21/20
, H01L 21/205
, H01L 21/268
, H01L 27/12
