半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：青山葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-104098
公開番号（公開出願番号）：特開平6-314654
出願日： 1993年04月30日
公開日（公表日）： 1994年11月08日
要約：

【要約】【目的】下地の如何にかかわらず成長速度が等しく、優れた埋め込み平坦性を示し、しかも、良好な膜質のシリコン酸化膜を形成できる半導体装置の製造方法を提供する。【構成】組成にSi-N結合を持つ有機ソース16とO3とを基板1に導き、有機ソース16とO3とを常圧下で化学反応させて、基板1にシリコン酸化膜を成長させる。有機ソース16は、例えばヘキサメチルジシラザン((CH3)3Si-N(H)-Si(CH3)3)である。

請求項（抜粋）：

有機ソースとO3とを基板に導き、上記有機ソースとO3とを常圧下で化学反応させて、上記基板にシリコン酸化膜を成長させる半導体装置の製造方法において、上記有機ソースは、組成にSi-N結合を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平2-259074
特開平4-346035
気相成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-075009 出願人：日本電気株式会社

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