特許

J-GLOBAL ID：200903078065313213

半導体装置およびその製造方法

発明者： 野口 江
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-139999
公開番号（公開出願番号）：特開平9-321046
出願日： 1996年06月03日
公開日（公表日）： 1997年12月12日
要約：

【要約】【課題】 回路動作速度および集積度が向上した半導体装置を提供し、また、回路設計が簡易化された該半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 シリコン基板上に絶縁膜が形成され該絶縁膜上に第1の配線が設けられ、該第1の配線および該絶縁膜上にさらに絶縁膜が形成され、該絶縁膜に開口部が設けられ該開口部に金属が埋め込まれて第2の配線が形成された半導体装置であって、前記開口部が、孔状開口部および深さの異なる2つ以上の溝状開口部であり、該孔状開口部が該溝状開口部の少なくとも一部に第1の配線に至るように設けられた半導体装置。

請求項（抜粋）：

シリコン基板上の絶縁膜に溝状配線を有する半導体装置において、同一配線層に、膜厚の異なる溝状配線を2つ以上有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/768

FI (4件)：

H01L 21/88 B ,  H01L 21/88 K ,  H01L 21/88 N ,  H01L 21/90 A

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-242835   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-271107   出願人：日本電気株式会社