半導体装置

発明者： , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：武顕次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-000309
公開番号（公開出願番号）：特開平9-186269
出願日： 1996年01月05日
公開日（公表日）： 1997年07月15日
要約：

【要約】【課題】小型、高密度のパワー半導体装置を低価格で提供すること。【解決手段】半導体素子11が接合されたリードフレーム13を、セラミック板14を介してヒートシンク15に結合させ、外装樹脂モールド17により封止成形した半導体装置において、セラミック板14の大きさを半導体素子11とほぼ同じ大きさにしたもの。【効果】セラミック板14の寸法が小さくて済み、反り、もしくは曲がりを生じにくいという効果があり、この結果、セラミック板14の厚さを最大でも0.5mmの薄いものとすることができるので、熱抵抗を充分に低くできるという効果がある。

請求項（抜粋）：

一方の面に半導体素子が接合された回路導体板を電気的に隔離した状態でほぼ平板状のヒートシンクの一方の面に積層させ、該ヒートシンクの他方の面が外部に露出した状態で電気絶縁性外装モールド材により封止成形した半導体装置において、前記回路導体板の前記半導体素子が接合されている部分の反対側の面に、前記半導体素子とほぼ同じ平面形状のセラミック板を設け、前記回路導体板がこのセラミック板を介して前記ヒートシンクに積層されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 23/28 , H01L 23/36 , H01L 25/065 , H01L 25/07 , H01L 25/18

FI (3件)：

H01L 23/28 B , H01L 23/36 D , H01L 25/08 Z

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開昭58-035933
特開昭60-092650
特開昭63-205935

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