半導体集積回路装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：林敬之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-138868
公開番号（公開出願番号）：特開平9-321548
出願日： 1996年05月31日
公開日（公表日）： 1997年12月12日
要約：

【要約】【課題】フォトダイオードなどの出力を電流から電圧に変換する機能や増幅する機能のICの消費電流を低減することを目的とする。【解決手段】 CMOS構成の回路形式、しかも新規のカレントインバータ要素を使用しICを構成する。

請求項（抜粋）：

同一半導体基板上に、第一の差動増幅器を有し、該第1の差動増幅器に続いて直列の抵抗要素を介して第2の差動増幅器を有し、該第2の差動増幅器に続いて第3の差動増幅器を有する構成の半導体集積回路装置において、該第1、第2、第3の差動増幅器はCMOS回路で構成された反転増幅器構成をとり、特には該反転増幅器は出力段にNMOSの2段重ね構成を取ることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (8件)：

H03F 3/08 , H01L 31/10 , H03F 3/45 , H04B 10/28 , H04B 10/26 , H04B 10/14 , H04B 10/04 , H04B 10/06

FI (4件)：

H03F 3/08 , H03F 3/45 Z , H01L 31/10 G , H04B 9/00 Y

引用特許：

審査官引用 (14件)

光電変換用プリアンプ回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-211339 出願人：富士通株式会社, 日本電信電話株式会社
特開平2-289930
特開平4-227103

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