特許
J-GLOBAL ID:200903078113267296

フルカラー有機電界発光表示素子及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 渡邊 隆 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-338475
公開番号(公開出願番号):特開2003-168569
出願日: 2002年11月21日
公開日(公表日): 2003年06月13日
要約:
【要約】【課題】 画素電極の開口部のエッジ部部分で発生する有機EL層のパターン不良を防止できるフルカラー有機電界発光表示素子及びその製造方法の提供することである。【解決手段】本発明は基板上に形成された下部膜と;下部膜が露出されるように基板上に形成された絶縁膜と;露出された下部膜上に形成された有機薄膜層を含み、絶縁膜の厚さは500nm以下であることを特徴とする。絶縁膜の厚さは望ましく200nm以下であって、さらに望ましくは100ないし200nmである。有機薄膜層は正孔注入層、正孔輸送層、R、G、B発光層、電子輸送層、電子注入層中の一つ以上を含み、レーザー転写法を利用してパターニングされる。
請求項(抜粋):
基板上に形成された下部膜と;前記下部膜が露出されるように基板上に形成された絶縁膜と;前記露出された下部膜上に形成された有機薄膜層を含み、前記絶縁膜の厚さは500nm以下であることを特徴とする表示素子。
IPC (3件):
H05B 33/22 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14
FI (3件):
H05B 33/22 Z ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14 A
Fターム (7件):
3K007AB11 ,  3K007AB18 ,  3K007BA06 ,  3K007CB01 ,  3K007DB03 ,  3K007EA00 ,  3K007FA01
引用特許:
審査官引用 (5件)
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