特許
J-GLOBAL ID：200903078127563238
絶縁ゲート型半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
吉田 研二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-122898
公開番号（公開出願番号）：特開2001-308328
出願日： 2000年04月24日
公開日（公表日）： 2001年11月02日
要約：
【要約】【課題】 オン電圧を低くすると共に寄生サイリスタなどの作動を抑制する。【解決手段】 トレンチIGBTとして構成された絶縁ゲート型半導体装置20のボディ領域30とエミッタ領域32との接合部分のボディ領域30内にトレンチゲート28とは接触しないようボディ領域30より不純物濃度が高いp型半導体により高濃度領域34を形成する。高濃度領域34は、ターンオフ時には素子内に溜まるキャリアをエミッタ領域32に流すから寄生サイリスタがオン動作するのを防止することができる。また、ボディ領域30は、不純物濃度が低いp型半導体により形成されているから、トレンチゲート28に印加される電圧が低くてもチャネルを形成することができる。この結果、オン電圧を低くすることができる。
請求項（抜粋）：
絶縁ゲートを備える絶縁ゲート型半導体装置であって、前記絶縁ゲートに接して形成された二つの一導電型の半導体領域と、他導電型の半導体により前記二つの一導電型の半導体領域間に前記絶縁ゲートに接して形成され、該絶縁ゲートへの電圧の印加に伴って該二つの一導電型の半導体領域間にチャネルを形成するボディ領域と、該ボディ領域より不純物濃度が高い他導電型の半導体により該ボディ領域と前記二つの一導電型の半導体領域の一方との接合部分に前記絶縁ゲートに接しないよう形成された高濃度領域とを備える絶縁ゲート型半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/78 655
, H01L 29/78 652
, H01L 29/78 653
H01L 29/78 655 E
, H01L 29/78 652 B
, H01L 29/78 653 C
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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