特許
J-GLOBAL ID：200903032468120334

保護用ダイオードを備えるトレンチゲート形パワーMOSFET

発明者：
ウェイン・ビー・グラボウスキー

ウェイン・ビー・グラボウスキー について

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リチャード・ケイ・ウィリアムズ

リチャード・ケイ・ウィリアムズ について

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モハメッド・エヌ・ダーウィッシュ

モハメッド・エヌ・ダーウィッシュ について


出願人/特許権者：
シリコニックス・インコーポレイテッド

シリコニックス・インコーポレイテッド について


代理人 (1件)： 大島 陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-303657
公開番号（公開出願番号）：特開平11-195788
出願日： 1998年10月26日
公開日（公表日）： 1999年07月21日
要約：
【要約】【課題】 トレンチ底部におけるブレークダウンの発生を防ぎ、MOSFETの損傷を避けると共に、オン抵抗特性が改善されたトレンチゲート形MOSFETを提供する。【解決手段】 パワーMOSFETは複数のMOSFETセルを画定するトレンチゲートを備える。各MOSFET内のチャネル領域に並列に接続されるダイオードを形成するように、保護拡散部が、好ましくは非アクティブセル内に生成される。保護拡散部は、衝撃イオン化及びその結果生じるゲートトレンチの角部付近におけるキャリアの発生を防ぎ、ゲート酸化物層が損傷或いは破壊されてしまうのを防ぐ。さらに、ダイオードはブレークダウン電圧を有するように設計され、ブレークダウン電圧がゲート酸化物層を横切る電界の強さを制限することができる。深い中央拡散部を削除することによりセル密度が増加し、かつMOSFETのオン抵抗を改善することができる。
請求項（抜粋）：
トレンチゲート形パワーMOSFETであって、半導体材料と、前記半導体材料の表面内に形成されるトレンチ内に配置されるゲートと、第2の導電型の保護用拡散部とを有し、前記トレンチは複数のMOSFETセルを画定し、また前記各MOSFETは第1の導電型のソース領域と、前記ソース領域に隣接する前記第2の導電型のボディ領域とを有し、前記ソース領域と前記ボディ領域は前記トレンチの側面に当接し、また前記保護用拡散部はダイオードを形成するように前記第1の導電型の領域に隣接し、前記ダイオードが前記各MOSFETセルのチャネル領域に並列に接続されることを特徴とするトレンチゲート形パワーMOSFET。
FI (2件)：
H01L 29/78 657 A ,  H01L 29/78 653 A
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (4件)
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