特許

J-GLOBAL ID：200903078139468982

半導体装置の製造方法

発明者： 石井 雄三
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 和泉 良彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-139789
公開番号（公開出願番号）：特開2002-335018
出願日： 2001年05月10日
公開日（公表日）： 2002年11月22日
要約：

【要約】【課題】光学的信号の入出力を高効率で行う半導体装置を製造することを可能とする半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】電気配線パターン1が形成されたキャリア基板2上に、ヴィアホール5を形成したインターポーザ基板4を接着して、ボールグリッドアレイ(BGA)型パッケージ7の基本構造を構成し、LSIチップ6および光素子チップ3をキャリア基板2上の所定の位置に配置し、光素子チップ3との光信号送受信のため光に対して透明な樹脂8によって光素子チップ3を封止し、はんだバンプ用電極パッド11をインターポーザ基板4上に形成し、電極パッド11上に、はんだバンプ12を搭載する半導体装置の製造方法であって、電極パッド11の位置を光素子チップ3の発光部中心又は受光部中心10を基準として定めることを特徴とする半導体装置の製造方法を構成する。

請求項（抜粋）：

素子チップ搭載用キャリア基板上に、ヴィアホールを有するインターポーザ基板を接着する工程と、前記ヴィアホール中に露出した前記キャリア基板の表面に光素子チップを配置する工程と、前記光素子チップとの光信号送受信のための光に対して透明な樹脂によって前記光素子チップを封止する工程と、前記インターポーザ基板上に、はんだバンプ用電極パッドを形成する工程と、前記はんだバンプ用電極パッド上にはんだバンプを搭載する工程とを有する半導体装置の製造方法であって、前記インターポーザ基板上に前記はんだバンプ用電極パッドを形成する工程において、前記はんだバンプ用電極パッドの位置を前記光素子チップの発光部中心又は受光部中心を基準として定めることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 33/00 ,  H01L 23/12 501 ,  H01L 25/16 ,  H01L 31/0232

FI (4件)：

H01L 33/00 M ,  H01L 23/12 501 W ,  H01L 25/16 A ,  H01L 31/02 D

Fターム (12件)：

5F041AA37 ,  5F041DA03 ,  5F041DA07 ,  5F041DA20 ,  5F041DA83 ,  5F041EE17 ,  5F041FF14 ,  5F088BA16 ,  5F088BB01 ,  5F088EA16 ,  5F088JA12 ,  5F088JA20

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-203546   出願人：浜松ホトニクス株式会社
• 光モジュール
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-174595   出願人：日本電気株式会社