特許
J-GLOBAL ID：200903078142840469

酸化膜材料、珪素酸化膜の形成方法および半導体素子

発明者：
御子柴 智

御子柴 智 について

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早瀬 修二

早瀬 修二 について

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中野 義彦

中野 義彦 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-286533
公開番号（公開出願番号）：特開平10-287746
出願日： 1997年10月20日
公開日（公表日）： 1998年10月27日
要約：
【要約】【課題】 誘電率が低く自由体積の大きい珪素酸化膜を形成し得る酸化膜材料を提供する。【解決手段】 下記一般式(1A)、(1B)および(1C)のいずれかで表わされる繰り返し単位を有する酸化膜材料である。【化1】(上記一般式(1)中、R1 は、250°C以上の温度で脱離する置換基であり、R2 は250°C以上の温度で脱離しない置換基である。)
請求項（抜粋）：
下記一般式(1A)、(1B)または(1C)で表わされる繰り返し単位を有することを特徴とする酸化膜材料。【化1】(上記一般式中、R1 は、250°C以上の温度で脱離する置換基であり、R2 は、250°C以上で脱離しない置換基である。)
IPC (4件)：
C08G 77/04 ,  C01B 33/12 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/316
FI (4件)：
C08G 77/04 ,  C01B 33/12 C ,  H01L 21/312 C ,  H01L 21/316 G
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (5件)
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