特許
J-GLOBAL ID：200903078161881729

処理装置

発明者：
幸田 勇蔵

幸田 勇蔵 について

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岡部 正太郎

岡部 正太郎 について

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芳里 直

芳里 直 について

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森山 公一朗

森山 公一朗 について

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尾崎 裕之

尾崎 裕之 について

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青田 幸人

青田 幸人 について

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都築 英寿

都築 英寿 について

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金井 正博

金井 正博 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (1件)： 渡辺 敬介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-110284
公開番号（公開出願番号）：特開2000-306842
出願日： 1999年04月19日
公開日（公表日）： 2000年11月02日
要約：
【要約】【課題】 非晶質半導体薄膜形成用のCVD装置や該薄膜のエッチング装置などの処理装置において、未反応ガスや副生成物を効率良く分解し、排気管や排気手段への副堆積物の付着、堆積を防止する。【解決手段】 クロム、モリブデン、タングステン、バナジウム、ニオブ、タンタンル、チタン、ジルコニウム、ハフニウムのいずれか一種を母体材料とし、シリコン原子を原子組成比で0.1%以上含む発熱体ユニット107を反応室100と真空ポンプユニット108との間の排気管103内に設置し、該発熱体ユニット107を加熱して反応室100から排気される排気ガス中の未反応ガスや副生成物を効率良く分解する。
請求項（抜粋）：
基体または膜を処理するための処理空間と該処理空間を排気するための排気手段とを有する処理装置であって、前記処理空間と前記排気手段とを連絡する排気経路中に、上記処理空間から排気される未反応ガス及び副生成物の少なくとも一方に化学反応を起こさせるための化学反応生起手段を有し、該化学反応生起手段がシリコン原子を含む発熱体から構成されていることを特徴とする処理装置。
IPC (3件)：
H01L 21/205 ,  B01D 53/46 ,  C23C 16/44
FI (3件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/44 E ,  B01D 53/34 120 A
Fターム (41件)：
4D002AA26 ,  4D002AC10 ,  4D002BA05 ,  4D002BA07 ,  4D002BA12 ,  4D002CA20 ,  4D002DA21 ,  4D002DA70 ,  4D002EA02 ,  4D002EA13 ,  4D002GA02 ,  4D002GA03 ,  4D002GB01 ,  4D002GB02 ,  4D002GB03 ,  4D002GB04 ,  4D002GB08 ,  4D002GB11 ,  4D002GB20 ,  4D002HA03 ,  4D002HA10 ,  4K030AA06 ,  4K030AA17 ,  4K030BA30 ,  4K030CA02 ,  4K030CA06 ,  4K030EA12 ,  4K030FA03 ,  4K030KA22 ,  4K030KA46 ,  4K030KA49 ,  5F045AA08 ,  5F045AC01 ,  5F045BB08 ,  5F045DP04 ,  5F045EB02 ,  5F045EB05 ,  5F045EB09 ,  5F045EC07 ,  5F045EG02 ,  5F045EG07
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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