特許
J-GLOBAL ID：200903078178205859
低電圧用イメージセンサ及びそのセンシング方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
谷 義一
, 阿部 和夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-294807
公開番号（公開出願番号）：特開2008-125084
出願日： 2007年11月13日
公開日（公表日）： 2008年05月29日
要約：
【課題】一般的な4-トランジスタCMOSイメージセンサにおいてトランスファートランジスタの構造と駆動方式を変更して、トランスファートランジスタのディップデプレション動作と多重リセット方法を通じて、イメージラグを減少させ、フォトダイオードのウェルキャパシティを増加させることを目的とする。【解決手段】本発明のイメージセンサは、受光素子と、多重ゲート構造のトランスファートランジスタを含み、前記受光素子で発生した光電荷を電圧に変換して出力する信号変換部と、1回の感光周期の間に、前記トランスファートランジスタのゲートに印加されるリセット信号及び/またはトランスファー信号を2回以上発するセンシング制御部と、を含むことを特徴とする。【選択図】図5A
請求項（抜粋）：
受光素子と、
多数のトランスファーゲートを備えたトランスファートランジスタを含み、前記受光素子で発生した光電荷を電圧に変換して出力する信号変換部と、
1回の感光周期の間に、前記トランスファートランジスタの多数のトランスファーゲートに印加されるリセット信号及び/またはトランスファー信号を2回以上発するセンシング制御部と
を含むイメージセンサ。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H04N5/335 E
, H01L27/14 A
, H04N5/335 P
4M118AA03
, 4M118AA10
, 4M118AB01
, 4M118BA14
, 4M118CA04
, 4M118DA21
, 4M118DB09
, 4M118DD04
, 4M118DD12
, 4M118FA06
, 4M118FA33
, 5C024AX01
, 5C024EX42
, 5C024GX02
, 5C024GX03
, 5C024GX04
, 5C024GY31
, 5C024HX40
, 5C024HX41
出願人引用 (2件)
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韓国特許公開第2005-0061608号明細書
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米国特許公開第2005-0017155号明細書
審査官引用 (3件)
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