不揮発性メモリ

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：古谷馨 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-164060
公開番号（公開出願番号）：特開2003-036684
出願日： 2002年06月05日
公開日（公表日）： 2003年02月07日
要約：

【要約】【課題】ポータブル機器用の低コストのデータ長期保存用記憶装置を提供すること。【解決手段】誘電体基板材料(50)上に形成される交点メモリアレイ(25)を含むデータ記憶装置(22)が開示される。交点メモリアレイは、第1および第2の組の横断電極(502,504)を含み、それらが少なくとも1つの半導体層(72)を含む記憶層(75)によって分離される。記憶層は、第1および第2の組からの電極の各交点において不揮発性メモリエレメント(26)を形成する。各メモリエレメントは、そのメモリエレメントを介した所定の電流密度の形をとる書込み信号を印加することにより、それぞれ二値データ状態を表す低インピーダンス状態と高インピーダンス状態との間で切り替えられ得る。各メモリエレメントは、少なくとも低インピーダンス状態である限り、記憶層内に形成されたダイオード接合(66)を含む。

請求項（抜粋）：

誘電体基板材料(50)上に形成される交点メモリアレイ(25)からなるデータ記憶装置(22)であって、前記交点メモリアレイが、少なくとも1つの半導体層(72)を含む記憶層(75)によって分離される第1および第2の組の横断電極(502、504)を含み、前記記憶層が、前記第1および前記第2の組からの電極の各交点において不揮発性メモリエレメント(26)を形成し、各メモリエレメントが、前記メモリエレメントを介して所定の電流密度の形の書込み信号を加えることにより、それぞれ二値データ状態を表す、低インピーダンス状態と高インピーダンス状態との間で切替え可能であり、各メモリエレメントが、少なくとも前記低インピーダンス状態である限り、前記記憶層内に形成されたダイオード接合(66)を含む、データ記憶装置。

Fターム (7件)：

5B025AA07 , 5B025AB03 , 5B025AC02 , 5B025AD04 , 5B025AE00 , 5B025AE05 , 5B025AE08

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開昭60-186054
書き込み可能な不揮発性メモリデバイス及びこのデバイスの製造方法
公報種別：公表公報出願番号：特願平10-500359 出願人：フィリップスエレクトロニクスネムローゼフェンノートシャップ
特開昭56-103474

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