3次元デバイス

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-049883
公開番号（公開出願番号）：特開平11-251518
出願日： 1998年03月02日
公開日（公表日）： 1999年09月17日
要約：

【要約】【課題】薄膜デバイス層の形成条件の自由度が広く、容易に製造することができる高性能の3次元デバイスを提供する。【解決手段】メモリIC10aは、基板(転写側基板)21と、この基板21上に積層されたメモリセルアレイ71と、メモリセルアレイ72と、メモリセルアレイ73とを有している。各メモリセルアレイ71、72および73は、それぞれ、薄膜構造の転写法により、図21中下側からこの順序で積層されている。前記転写法は、元基板上に分離層を介して薄膜デバイス層(メモリセルアレイ)を形成した後、前記分離層に照射光を照射して、前記分離層の層内および/または界面において剥離を生ぜしめ、前記元基板上の薄膜デバイス層を基板21側へ転写するものである。

請求項（抜粋）：

2次元方向の所定の領域内に配置される薄膜デバイス層をその厚さ方向に複数積層してなる3次元デバイスであって、前記各薄膜デバイス層のうちの少なくとも1つが、転写法により積層したものであることを特徴とする3次元デバイス。

IPC (11件)：

H01L 27/00 301 , H01L 21/8244 , H01L 27/11 , H01L 27/10 461 , H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 39/02 , H01L 39/24 , H01L 43/12

FI (9件)：

H01L 27/00 301 B , H01L 27/10 461 , H01L 39/02 D , H01L 39/24 D , H01L 43/12 , H01L 27/10 381 , H01L 27/10 681 E , H01L 29/78 613 Z , H01L 29/78 627 D

引用特許：

審査官引用 (8件)

3次元集積回路の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-244732 出願人：フラウンホッファー-ゲゼルシャフトツァフェルダールングデァアンゲヴァンテンフォアシュンクエー.ファオ.
3次元集積回路の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-244734 出願人：フラウンホッファー-ゲゼルシャフトツァフェルダールングデァアンゲヴァンテンフォアシュンクエー.ファオ.
特開平1-140753

全件表示

前のページに戻る