特許
J-GLOBAL ID:200903078191346259
光電変換素子
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (4件):
志賀 正武
, 高橋 詔男
, 渡邊 隆
, 青山 正和
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-107810
公開番号(公開出願番号):特開2007-280849
出願日: 2006年04月10日
公開日(公表日): 2007年10月25日
要約:
【課題】封止する際の熱工程による電解質や半導体への熱による劣化を防止し、優れた発電特性を有する光電変換素子を提供すること。【解決手段】本発明に係る光電変換素子は、導電性の第一基材からなる対極と、絶縁性の透明な第二基材と、該第二基材の一面に透明導電膜を介して配され、少なくとも一部に色素を担持した多孔質酸化物半導体層とを備え、該多孔質酸化物半導体層が前記第一基材の一面と対向して配される作用極と、前記対極と前記作用極との間の少なくとも一部に配された電解質層と、から構成され、前記第一基材は、前記第二基材よりも狭い面積を有し、前記電解質層と前記第一基材の側面部を少なくとも被覆するように光硬化性樹脂を配したことを特徴とする。【選択図】図1
請求項(抜粋):
導電性の第一基材からなる対極と、
絶縁性の透明な第二基材と、該第二基材の一面に透明導電膜を介して配され、少なくとも一部に色素を担持した多孔質酸化物半導体層とを備え、該多孔質酸化物半導体層が前記第一基材の一面と対向して配される作用極と、
前記対極と前記作用極との間の少なくとも一部に配された電解質層と、から構成され、
前記第一基材は、前記第二基材よりも狭い面積を有し、前記電解質層と前記第一基材の側面部を少なくとも被覆するように硬化性樹脂を配したことを特徴とする光電変換素子。
IPC (2件):
FI (2件):
H01M14/00 P
, H01L31/04 Z
Fターム (17件):
5F051AA14
, 5F051BA18
, 5F051FA02
, 5F051GA20
, 5H032AA06
, 5H032AS06
, 5H032AS16
, 5H032BB05
, 5H032CC16
, 5H032EE01
, 5H032EE02
, 5H032EE04
, 5H032EE07
, 5H032EE08
, 5H032EE16
, 5H032HH04
, 5H032HH05
引用特許: