特許
J-GLOBAL ID：200903078211855740
多結晶半導体膜の製造方法、液晶表示装置の製造方法及びレーザアニール装置
発明者：
,
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-014021
公開番号（公開出願番号）：特開平11-214306
出願日： 1998年01月27日
公開日（公表日）： 1999年08月06日
要約：
【要約】【課題】 この発明は基板の上に形成された非晶質半導体膜を効率よく多結晶化できるようにした多結晶半導体膜の製造方法提供することにある。【解決手段】 基板5の上に形成された非晶質半導体膜へレーザ光を1ショット毎に照射するとともにこのレーザ光を照射前記基板に対して相対的に所定距離だけ走査させる工程と、前記レーザ光の照射により前記非晶質半導体膜を多結晶化する工程とを有する多結晶半導体膜の製造方法において、前記非晶質半導体膜を多結晶化する工程は、前記1ショットの照射での前記レーザ光のエネルギーの総和と前記レーザ光のエネルギーのピーク値との比を所定範囲内に収めるように前記レーザ光のエネルギーを制御する工程を有することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
基板の上に形成された非晶質半導体膜へレーザ光を1ショット毎に照射するとともにこのレーザ光を前記基板に対して相対的に所定距離だけ走査させる工程と、前記レーザ光の照射により前記非晶質半導体膜を多結晶化する工程とを有する多結晶半導体膜の製造方法において、前記非晶質半導体膜を多結晶化する工程は、前記1ショットの照射での前記レーザ光のエネルギーの総和と前記レーザ光のエネルギーのピーク値との比を所定範囲内に収めるように前記レーザ光のエネルギーを制御する工程を有することを特徴とする多結晶半導体膜の製造方法。
IPC (2件)：
FI (4件)：
H01L 21/20
, H01L 21/268 F
, H01L 21/268 J
, H01L 21/268 T
