特許
J-GLOBAL ID:200903078217469486

酸化物薄膜のパターンニング方法とこれに用いる装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 石原 勝
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-156590
公開番号(公開出願番号):特開平7-041936
出願日: 1993年06月28日
公開日(公表日): 1995年02月10日
要約:
【要約】【目的】 メタルマスクの使用による不利益なく、しかも高精度形状のパターンニングを高速でかつ低コストで実現できるようにする。【構成】 基板2上の酸化物薄膜3を、この表面に施した耐ブラスト性レジスト6を介してブラスト処理することにより、酸化物薄膜3の不要部分を除去し所定のパターンに形成することを特徴とするものである。
請求項(抜粋):
基板上の酸化物薄膜を、この表面に施した耐ブラスト性レジストを介してブラスト処理することにより、酸化物薄膜の不要部分を除去し所定のパターンに形成することを特徴とする酸化物薄膜のパターンニング方法。
IPC (5件):
C23C 14/04 ,  C30B 25/04 ,  C30B 25/18 ,  C30B 29/22 ,  H01L 21/205
引用特許:
出願人引用 (5件)
  • 特開平3-294180
  • 特開平4-123745
  • 連続湿式サンドブラスト加工装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平3-284964   出願人:九州電子金属株式会社, 住友シチツクス株式会社
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審査官引用 (5件)
  • 特開平3-294180
  • 特開平4-123745
  • 連続湿式サンドブラスト加工装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平3-284964   出願人:九州電子金属株式会社, 住友シチツクス株式会社
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