特許

J-GLOBAL ID：200903078226565471

EG層付きエピタキシャルウェーハの製造方法

発明者： 野上 彰二 ,  高石 和成 ,  小西 央員
出願人/特許権者： 三菱マテリアルシリコン株式会社 ,  三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-331718
公開番号（公開出願番号）：特開平10-172976
出願日： 1996年12月12日
公開日（公表日）： 1998年06月26日
要約：

【要約】【課題】 少ない工程で効率良く、ウェーハの反りの比較的小さいEG層付きエピタキシャルウェーハを得る。【解決手段】 表面粗さが1.2nm以下であって裏面粗さが1.2nmを越え0.1μm以下であるシリコンウェーハの両面に、SiH4を400〜1000°Cで熱分解することによって生成されたSiをそれぞれ堆積することにより、ウェーハ表面にエピタキシャル層を、ウェーハ裏面にポリシリコンからなるEG層を同時に形成する。

請求項（抜粋）：

表面粗さが1.2nm以下であって裏面粗さが1.2nmを越え0.1μm以下であるシリコンウェーハの両面に、SiH4を400〜1000°Cで熱分解することによって生成されたSiをそれぞれ堆積することを特徴とするEG層付きエピタキシャルウェーハの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/322 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/304 321

FI (4件)：

H01L 21/322 G ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/304 321 S

引用特許：

出願人引用 (7件)

• 特開昭56-018412
  
• 特開昭58-191422
  
• 特開平2-050434
  
• 特開平3-201440
  
• ウェーハの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-250126   出願人：三菱マテリアル株式会社, 三菱マテリアルシリコン株式会社
• 単結晶シリコンウェーハの製造方法および単結晶シリコンウェーハ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-276001   出願人：コマツ電子金属株式会社
• 半導体ウェーハの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-140108   出願人：コマツ電子金属株式会社