半導体装置及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-267198
公開番号（公開出願番号）：特開2001-093975
出願日： 1999年09月21日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
要約：

【要約】【課題】信頼性の高い多層配線構造を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】P-SiO2膜1上に、第1層〜第5層のAl配線84,88,92,96及び100が形成され、各配線層の間にFSG膜85,89,93及び97が形成され、同一配線層の配線間に有機シリコン酸化膜82,86,90,94及び98が形成されており、第1層及び第2層のアルミ配線4及び8のカーボン濃度は22wt%、第3〜第5層のアルミ配線12,16及び20のカーボン濃度は20wt%である。

請求項（抜粋）：

基板上に、層間絶縁膜と該層間絶縁膜に形成された配線を有する配線層が少なくとも一層形成された配線構造を有する半導体装置において、前記配線層のうち少なくとも一の層の前記層間絶縁膜は、膜厚方向にカーボン濃度又は金属酸化物濃度が異なることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/768 , H01L 21/316

FI (3件)：

H01L 21/316 G , H01L 21/316 X , H01L 21/90 J

Fターム (41件)：

5F033HH08 , 5F033HH17 , 5F033JJ08 , 5F033JJ17 , 5F033KK08 , 5F033KK17 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033NN19 , 5F033PP15 , 5F033PP18 , 5F033QQ09 , 5F033QQ13 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033RR04 , 5F033RR11 , 5F033RR23 , 5F033RR26 , 5F033SS01 , 5F033SS03 , 5F033SS11 , 5F033SS15 , 5F033SS22 , 5F033WW04 , 5F033XX17 , 5F058BA04 , 5F058BA20 , 5F058BD02 , 5F058BD04 , 5F058BD06 , 5F058BD19 , 5F058BF07 , 5F058BF46 , 5F058BH01 , 5F058BJ01 , 5F058BJ02

引用特許：

審査官引用 (2件)

デュアルダマシン法に適用される誘電体構造物およびその製造方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2001-508492 出願人：ラムリサーチコーポレーション, ノベルス・システムズ・インコーポレーテッド
集積した低K誘電体層とエッチング停止層
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-173807 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド

前のページに戻る