特許

J-GLOBAL ID：200903078253506266

不揮発性記憶装置及び電子機器

発明者： 相川 康之
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 政木 良文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-315035
公開番号（公開出願番号）：特開2006-127648
出願日： 2004年10月29日
公開日（公表日）： 2006年05月18日
要約：

【課題】 不揮発性記憶装置のデータの不正利用を防止するとともに、当該データ不正利用防止に要する回路規模及び製造コストの増大を抑制できる不揮発性記憶装置を提供する。【解決手段】 メモリセルアレイ1内にデータを書き込み、メモリセルアレイ1内のデータを消去する書き込み消去手段6と、メモリセルアレイ1内のデータを読み出す読み出し手段5を備えてなる不揮発性記憶装置であって、電源電圧VCCが所定電圧以下になったことを検知して検知信号を出力する電源電圧検知手段12と、電源電圧検知手段12からの検知信号を受けてセキュリティフラグ11がセットされる不揮発性レジスタ10と、セキュリティフラグ11がセットされた状態で電源投入された後に、メモリセルアレイ1に対する少なくともデータの読み出し動作を含むアクセス動作が実行されると、メモリセルアレイ1内のデータの消去動作を実行する不正アクセス制御手段8を更に備える。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

不揮発性メモリセルをアレイ状に配列してなるメモリセルアレイと、前記メモリセルアレイ内にデータを書き込み、前記メモリセルアレイ内のデータを消去する書き込み消去手段と、前記メモリセルアレイ内のデータを読み出す読み出し手段と、を備えてなる不揮発性記憶装置であって、 電源電圧が所定電圧以下になったことを検知して検知信号を出力する電源電圧検知手段と、 前記電源電圧検知手段からの前記検知信号を受けてセキュリティフラグがセットされる不揮発性レジスタと、 前記セキュリティフラグがセットされた状態で電源投入された後に、前記メモリセルアレイに対する少なくともデータの読み出し動作を含むアクセス動作が実行されると、前記メモリセルアレイ内のデータの消去動作を実行する不正アクセス制御手段と、 を更に備えることを特徴とする不揮発性記憶装置。

IPC (3件)：

G11C 16/02 ,  G06F 21/06 ,  G06K 19/073

FI (3件)：

G11C17/00 601P ,  G06F12/14 560E ,  G06K19/00 P

Fターム (15件)：

5B017AA07 ,  5B017BA08 ,  5B017CA12 ,  5B035BB09 ,  5B035CA11 ,  5B035CA29 ,  5B035CA38 ,  5B125BA01 ,  5B125CA06 ,  5B125CA22 ,  5B125DC11 ,  5B125DD10 ,  5B125EF00 ,  5B125EH01 ,  5B125FA01

引用特許：

出願人引用 (1件)

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  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-126123   出願人：沖電気工業株式会社