特許

J-GLOBAL ID：200903078266398373

電子放出素子、電子放出素子の製造方法、CRT、及び平面ディスプレイ

発明者： 高井 幹夫 ,  堀端 慎二 ,  由良 信介 ,  乙武 正文
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社 ,  高井 幹夫
代理人 (2件)： 高田 守 (外4名) ,  高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-221768
公開番号（公開出願番号）：特開平8-087956
出願日： 1994年09月16日
公開日（公表日）： 1996年04月02日
要約：

【要約】【目的】 駆動電圧の低い電子放出素子及びその製造方法を得る。さらに、この電子放出素子を利用して駆動電圧の低いCRT又は平面ディスプレイを得る。【構成】 ゲート電極15とエミッタ12とで構成される電子放出素子のエミッタ12を、多孔質Si層を形成したn型Siにより構成する。エミッタ12の形状は円錐状,円柱状,角柱状,円錐台状,平面状である。また、その製造方法として、n型Si基板13上にゲート電極付きの電子放出素子を作成した後、光を照射しながらエミッタ表面を陽極化成することにより、エミッタ表面を多孔質化して電子放出素子を製造する。また、n型Si基板を陽極化成することにより表面を多孔質化し、これをエミッタとして電子放出素子を製造する。さらに上記電子放出素子をCRTまたは平面ディスプレイの電子源とする。

請求項（抜粋）：

エミッタと、上記エミッタと空間を隔てて設けたゲート電極とを備え、上記エミッタに電界をかけて電子を放出させる電子放出素子において、上記エミッタが、多孔質Si層を有するn型Siからなると共に、電子放出側に突出しており、その形状が円錐状であることを特徴とする電子放出素子。

IPC (5件)：

H01J 1/30 ,  H01J 9/02 ,  H01J 29/04 ,  H01J 31/12 ,  H01J 31/15

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 電子放出素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-131488   出願人：株式会社東芝