特許
J-GLOBAL ID：200903078267862880
高周波回路
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-243029
公開番号（公開出願番号）：特開平7-106811
出願日： 1993年09月29日
公開日（公表日）： 1995年04月21日
要約：
【要約】【目的】 高周波回路モジュールを小型化する。【構成】 多層基板の材料として、アルミナまたはバリウムを含むガラスセラミックを用いる。多層基板の構造は厚さ150μm、縦横7mm角の4層の平板1〜4で構成し、それぞれの層間はスルーホール12で結線している。第1層表面15には高誘電体内蔵GaAs-MMIC11とチップ部品13とマイクロストリップ線路25が設けられている。第2層表面16、第4層表面18にはほぼ全面に接地導体14が配置されている。第3層表面17には、ストリップ線路からなる導体線路21が配置されていて、それぞれの導体線路21間は、接地導体22によって分離されている。第4層裏面19には、印刷抵抗素子によりバイアス抵抗が形成されている。
請求項（抜粋）：
アルミナまたはバリウムを含む平板を2枚以上重ねた多層基板と、能動素子およびチタン酸バリウムとチタン酸ストロンチウムとの混晶薄膜を容量絶縁膜とする容量素子を含む集積回路が形成され前記多層基板の一主面に設置された半導体基板とを備えた高周波回路。
IPC (2件)：
引用特許：
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