特許

J-GLOBAL ID：200903078272741470

フルオロスルホンアミド基を含んだポリマーを含むポジ型フォトレジスト組成物およびその使用方法

発明者： ウェンチエ・リ ,  プシュカラ・ラーオ・ヴァラナス
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
代理人 (3件)： 坂口 博 ,  市位 嘉宏 ,  上野 剛史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-000960
公開番号（公開出願番号）：特開2005-196209
出願日： 2005年01月05日
公開日（公表日）： 2005年07月21日
要約：

【課題】水性塩基現像液中で優れた溶解性を示すポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。【解決手段】ポジ型フォトレジスト組成物は、放射光感受性酸発生剤とポリマーとを含み、このポリマーは、フルオロスルホンアミド官能基を含むスルホンアミド単量体から誘導された第1の繰返し単位と、酸不安定ペンダント部分を含むことができる第2の繰返し単位とを含むことができる。このポジ型フォトレジスト組成物はさらに、溶媒、クエンチ剤および界面活性剤のうちの少なくとも1つを含むことができる。このポジ型フォトレジスト組成物から作られたパターン形成されたフォトレジスト層を基板上に形成し、このポジ型フォトレジスト層を結像用照射パターンで露光し、ポジ型フォトレジスト層のうち結像用照射パターンで露光された部分を除去して、対応するパターン形成された基板を露出させることができ、半導体デバイス製造のその後の処理に備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

放射光感受性酸発生剤と、 ポリマーと を含み、前記ポリマーが、 以下の2つの構造のうちの1つを含むフルオロスルホンアミド単量体から誘導された第1の繰返し単位を含み、

IPC (7件)：

G03F7/039 ,  C08F220/18 ,  C08F220/28 ,  C08F220/38 ,  C08F232/04 ,  G03F7/004 ,  H01L21/027

FI (7件)：

G03F7/039 601 ,  C08F220/18 ,  C08F220/28 ,  C08F220/38 ,  C08F232/04 ,  G03F7/004 501 ,  H01L21/30 502R

Fターム (32件)：

2H025AA04 ,  2H025AB16 ,  2H025AC01 ,  2H025AC04 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BG00 ,  2H025CC03 ,  2H025CC20 ,  2H025FA12 ,  2H025FA39 ,  2H025FA41 ,  4J100AL03Q ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AL26P ,  4J100AL26Q ,  4J100AL26R ,  4J100AR11P ,  4J100AR11Q ,  4J100AR11R ,  4J100BA28P ,  4J100BA58P ,  4J100BB18P ,  4J100BC03Q ,  4J100BC08P ,  4J100BC09Q ,  4J100BC53R ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100JA38

引用特許：

審査官引用 (1件)

• ポジ型レジスト組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-046284   出願人：富士写真フイルム株式会社