特許

J-GLOBAL ID：200903078283331770

半導体装置の製造方法

発明者： 栗本 秀行 ,  土津田 義久 ,  木村 敏夫
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (3件)： 原 謙三 ,  木島 隆一 ,  金子 一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-089348
公開番号（公開出願番号）：特開2004-296935
出願日： 2003年03月27日
公開日（公表日）： 2004年10月21日
要約：

【課題】補強材を用いて半導体ウエハーを研摩した際に、半導体ウエハーに反りや割れ等の欠陥を発生させることなく、短時間に補強材を半導体ウエハーから剥離する。【解決手段】貫通孔4を有する補強板1を、接着層2を介して、半導体装置が形成された半導体ウエハー3の表面に接着する工程と、上記半導体ウエハー3の裏面11を研摩する工程と、上記貫通孔4に接着層2を溶融する溶剤15を注入し、この溶剤15を接着層2に浸透させることで、補強板1を半導体ウエハー3aから剥離する工程とを含む。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

補強板を、接着層を介して、半導体装置が形成された半導体ウエハーの表面に接着する補強工程と、 上記半導体ウエハーの裏面を研摩する研摩工程と、 上記補強板を半導体ウエハーから剥離する剥離工程とを含む半導体装置の製造方法であって、 上記補強板には、上記接着層との接着面からこの接着面以外の外面に達する注入路が形成され、 上記剥離工程では、接着層を溶融する溶剤を、補強板の注入路から接着層に浸透させることで補強板を半導体ウエハーから剥離することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (1件)：

H01L21/02

FI (2件)：

H01L21/02 C ,  H01L21/02 B

引用特許：

審査官引用 (3件)

• ウエハはがし方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-177778   出願人：三菱電機株式会社
• 特開昭61-280660
  
• 半導体デバイスの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-293495   出願人：株式会社村田製作所