特許

J-GLOBAL ID：200903092460383193

半導体デバイスの製造方法

発明者： 田中 伸治
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-293495
公開番号（公開出願番号）：特開平7-147262
出願日： 1993年11月24日
公開日（公表日）： 1995年06月06日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、補強基板に貼り付けられたウエハを、補強基板とチップとが一体となったものに分割して、これを真空チャック治具で吸着して、その後の処理を行い、ワックスの溶解時間の短縮、チップのバラツキの防止、自動化の対応そして歩留まりの向上を図ることを目的とする。【構成】 本発明は、ウエハの表面と補強基板とを、ワックスで貼り付ける工程と、ウエハを薄層化し、選択メッキで、ウエハにヒートシンクを形成する工程と、補強基板付きウエハをチップに分割し、これを真空チャック治具でまとめて吸着し、分割補強基板の分離、洗浄などを一括して行う工程と、よりなる半導体デバイスの製造方法である。

請求項（抜粋）：

ウエハの表面と補強基板とを、ワックスで貼り付ける工程と、ウエハを薄層化し、選択メッキでウエハにヒートシンクを形成する工程と、補強基板付きウエハをチップに分割し、これを真空チャック治具でまとめて吸着して、分割補強基板の分離、洗浄などを一括して行う工程と、よりなる半導体デバイスの製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/301 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (6件)：

H01L 21/78 M ,  H01L 21/78 Q ,  H01L 21/78 P ,  H01L 21/78 L ,  H01L 21/78 S ,  H01L 29/80 B

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体チップの分割分離方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-014383   出願人：日本電気株式会社