特許
J-GLOBAL ID：200903078322324485
半導体装置の保護膜の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-024635
公開番号（公開出願番号）：特開平7-235532
出願日： 1994年02月23日
公開日（公表日）： 1995年09月05日
要約：
【要約】【目的】半導体装置上に塗布、焼成して形成される、強度、耐湿性、耐イオン透過性等の膜質が優れた半導体装置用の保護膜を得る。【構成】ポリシランに加熱、重合、抽出、蒸発、溶解等の操作を加えて分子量の揃ったポリシラン重合体の溶液を調製し、これを半導体装置上に塗布した後、酸素を含む雰囲気で焼成することにより、炭化シリコンを含む保護膜を形成する。焼成時の酸素と窒素との混合比を変えることによって、炭化シリコン、窒化シリコン、酸化シリコンの膜組成比を制御し、最適な膜を得ることができる。
請求項（抜粋）：
半導体装置にポリシラン重合体を溶解した液体を塗布し、400°C以上500°C以下の温度で焼成し、炭化シリコンを主成分とする膜とすることを特徴とする半導体装置の保護膜の形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/314
, H01L 21/316
