特許

J-GLOBAL ID：200903078340435545

金属酸化物薄膜の成膜方法、及び成膜装置

発明者： 清利 正弘 ,  山崎 壮一 ,  江口 和弘 ,  中平 順也 ,  中林 正明
出願人/特許権者： 株式会社東芝 ,  富士通株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-107193
公開番号（公開出願番号）：特開2002-305194
出願日： 2001年04月05日
公開日（公表日）： 2002年10月18日
要約：

【要約】【課題】貴金属電極上に液相供給法により原料を供給したMOCVD法で金属酸化物薄膜を形成する場合、貴金属膜との界面近傍における組成比の化学量論比からのずれを抑制し、薄膜化を図ること。【解決手段】金属有機化合物、または金属有機錯体化合物を有機溶媒に溶解した溶液を気化してガスを生成する気化器107と、気化器107で生成されたガスと酸化剤とを混合すると共に、加熱機構によりガス中の有機溶媒の少なくとも一部を分解する燃焼室108と、燃焼室108からガスが内部に供給され、内部に設置された被成膜基板110上に化学的気相成長法により成膜を行う反応容器102とを具備してなる。

請求項（抜粋）：

金属有機化合物、または金属有機錯体化合物を有機溶媒に溶解した溶液を気化して得られるガスを主たる原料ガスとして、化学的気相成長法により被成膜基板上に金属酸化物薄膜を成膜する金属酸化物薄膜の成膜方法において、前記原料ガスが前記被成膜基板に到達する前に、該原料ガスと酸化剤とを混合して予備加熱することにより、該ガス中の有機溶媒の少なくとも一部を分解することを特徴とする金属酸化物薄膜の成膜方法。

IPC (4件)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/455 ,  H01L 21/31

FI (4件)：

H01L 21/316 X ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/455 ,  H01L 21/31 B

Fターム (37件)：

4K030AA11 ,  4K030BA42 ,  4K030EA01 ,  4K030EA03 ,  4K030JA10 ,  4K030KA25 ,  5F045AA04 ,  5F045AB31 ,  5F045AC07 ,  5F045AC11 ,  5F045AC16 ,  5F045AD08 ,  5F045AF03 ,  5F045BB16 ,  5F045DC55 ,  5F045DC63 ,  5F045DP03 ,  5F045EB02 ,  5F045EE02 ,  5F045EE07 ,  5F045EE12 ,  5F045EE13 ,  5F045EF05 ,  5F045EK07 ,  5F058BA11 ,  5F058BA20 ,  5F058BC03 ,  5F058BC04 ,  5F058BC20 ,  5F058BF06 ,  5F058BF26 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF37 ,  5F058BG01 ,  5F058BG02 ,  5F058BJ01

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 強誘電体材料薄膜の成膜方法とその用途
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-032817   出願人：財団法人理工学振興会