特許
J-GLOBAL ID：200903051592679646

強誘電体材料薄膜の成膜方法とその用途

発明者：
舟窪 浩

舟窪 浩 について

, 
長島 邦治

長島 邦治 について


出願人/特許権者：
財団法人 理工学振興会

財団法人 理工学振興会 について


代理人 (1件)： 石田 敬 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-032817
公開番号（公開出願番号）：特開2001-220676
出願日： 2000年02月04日
公開日（公表日）： 2001年08月14日
要約：
【要約】【課題】 MOCVD法による強誘電体材料薄膜の品質、特性を生産性を低下させずに改良すること。【解決手段】 MOCVD法において原料有機金属化合物ガスを間欠的に基板上に供給する。
請求項（抜粋）：
有機金属化合物化学的気相堆積法による強誘電体材料膜の成膜方法であって、基材上に原料有機金属化合物ガスを間欠的に供給して強誘電体材料膜を堆積することを特徴とする強誘電体材料膜の成膜方法。
IPC (6件)：
C23C 16/40 ,  B81C 1/00 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242
FI (5件)：
C23C 16/40 ,  B81C 1/00 ,  H01L 21/316 X ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/10 651
Fターム (30件)：
4K030AA11 ,  4K030AA16 ,  4K030BA01 ,  4K030BA04 ,  4K030BA17 ,  4K030BA18 ,  4K030BA22 ,  4K030BA42 ,  4K030BA46 ,  4K030EA01 ,  4K030LA01 ,  4K030LA11 ,  4K030LA15 ,  5F058BA20 ,  5F058BC03 ,  5F058BC20 ,  5F058BF06 ,  5F058BF80 ,  5F058BJ10 ,  5F083FR01 ,  5F083GA06 ,  5F083HA08 ,  5F083JA13 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA43 ,  5F083PR21
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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