強誘電体材料薄膜の成膜方法とその用途

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：石田敬 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-032817
公開番号（公開出願番号）：特開2001-220676
出願日： 2000年02月04日
公開日（公表日）： 2001年08月14日
要約：

【要約】【課題】 MOCVD法による強誘電体材料薄膜の品質、特性を生産性を低下させずに改良すること。【解決手段】 MOCVD法において原料有機金属化合物ガスを間欠的に基板上に供給する。

請求項（抜粋）：

有機金属化合物化学的気相堆積法による強誘電体材料膜の成膜方法であって、基材上に原料有機金属化合物ガスを間欠的に供給して強誘電体材料膜を堆積することを特徴とする強誘電体材料膜の成膜方法。

IPC (6件)：

C23C 16/40 , B81C 1/00 , H01L 21/316 , H01L 27/10 451 , H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (5件)：

C23C 16/40 , B81C 1/00 , H01L 21/316 X , H01L 27/10 451 , H01L 27/10 651

Fターム (30件)：

4K030AA11 , 4K030AA16 , 4K030BA01 , 4K030BA04 , 4K030BA17 , 4K030BA18 , 4K030BA22 , 4K030BA42 , 4K030BA46 , 4K030EA01 , 4K030LA01 , 4K030LA11 , 4K030LA15 , 5F058BA20 , 5F058BC03 , 5F058BC20 , 5F058BF06 , 5F058BF80 , 5F058BJ10 , 5F083FR01 , 5F083GA06 , 5F083HA08 , 5F083JA13 , 5F083JA14 , 5F083JA15 , 5F083JA17 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA43 , 5F083PR21

引用特許：

審査官引用 (4件)

化学的気相成長装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-280884 出願人：日産自動車株式会社
半導体装置用誘電体の製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-294797 出願人：株式会社日立製作所
特開平4-311571

全件表示

前のページに戻る