特許
J-GLOBAL ID：200903078342887389

半導体発光素子、その製造方法、及び複合半導体装置

発明者：
田嶋 未来雄

田嶋 未来雄 について

, 
多田 善紀

多田 善紀 について

, 
神井 康宏

神井 康宏 について


出願人/特許権者：
サンケン電気株式会社

サンケン電気株式会社 について


代理人 (3件)： 高橋 詔男 ,  志賀 正武 ,  青山 正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-229404
公開番号（公開出願番号）：特開2008-053538
出願日： 2006年08月25日
公開日（公表日）： 2008年03月06日
要約：
【課題】製造コストを低減することができる半導体発光素子、その製造方法、及び複合半導体装置を提供する。【解決手段】導電性基板1の主面1aには凹部11aが形成され、主面1a上には、発光機能を有する発光層2が形成されている。また、発光層2から発せられる光に対して、導電性基板1よりも反射率の高い導電性反射層11が、凹部11aを埋めるように形成されている。導電性基板1の主面1aの上方から平面的に見た場合に、導電性反射層11の端部は、発光層2の端部と一致するか、又は発光層2の内側にあるかのいずれかである。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
一方の主面に凹部が形成された基板と、 前記一方の主面上に形成された、発光機能を有する発光層と、 前記凹部を埋めるように形成され、前記発光層から発せられる光に対して、前記基板よりも反射率の高い反射層とを備え、 前記一方の主面の上方から平面的に見た場合に、前記反射層の端部は、前記発光層の端部と一致するか、又は前記発光層の内側にあるかのいずれかである ことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (1件)：
H01L 33/00
FI (1件)：
H01L33/00 C
Fターム (10件)：
5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA33 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA73 ,  5F041CA74 ,  5F041CA88 ,  5F041CB15 ,  5F041CB33
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 半導体発光素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-078873   出願人：サンケン電気株式会社
審査官引用 (1件)

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