特許

J-GLOBAL ID：200903078350780208

シリコン・オン・インシュレータ(SOI)ウエハのシリコン基板の表側表面にコンタクトを形成する方法

発明者： フレデリック・ティ・ブラディ ,  ナディム・エフ・ハダッド
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 合田 潔 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-057624
公開番号（公開出願番号）：特開平7-014800
出願日： 1994年03月28日
公開日（公表日）： 1995年01月17日
要約：

【要約】【目的】 シリコン・オン・インシュレータ(SOI)ウエハのシリコン基板の表側表面にコンタクトを形成する。【構成】 素子処理ステップの前に、トレンチがSOI層22、24、28を通して基板20までエッチングされる。このトレンチは素子処理の間に維持され、基盤20と同じドーパント型のソース/ドレイン注入時に開かれる。メタライゼーション30により基板とのオーミック・コンタクトが形成される。

請求項（抜粋）：

あるドーパント型を有するシリコン・オン・インシュレータ基板の表側表面にコンタクトを形成する方法であって、通常の半導体素子処理の前に上記シリコン・オン・インシュレータ基板の表面にトレンチ領域を画成するステップと、シリコン・オン・インシュレータ層を上記基板までエッチングするステップと、トレンチを画成する物質を取り除いて通常の素子処理を継続するステップと、上記基板と同じ型のドーパント種のイオン注入時に上記トレンチ領域を開けるステップと、上記基板と異なる型のドーパント種のイオン注入時に上記トレンチ領域を覆うステップと、通常の素子処理で上記トレンチ領域の部分に金属を被着して、上記シリコン・オン・インシュレータ基板の表側表面にオーミック・コンタクトを形成するステップと、を含む方法。

IPC (2件)：

H01L 21/28 ,  H01L 27/12

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 多層配線の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-156392   出願人：ソニー株式会社
• 特開平4-074417