特許
J-GLOBAL ID：200903078351411400
薄膜トランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-236392
公開番号（公開出願番号）：特開平9-082973
出願日： 1995年09月14日
公開日（公表日）： 1997年03月28日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 ゲート絶縁膜のステップカバレージが良好で、特性が優れ、かつ生産性の高い薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】 コンタクト領域とを有する半導体膜と、この半導体膜の上側からこの半導体膜のコンタクト領域に開口部を有するように形成されたゲート絶縁膜104と、このゲート絶縁膜上の半導体膜のチャネル領域101に対応する領域に形成されたゲート電極105と、ゲート電極の上側から半導体膜のコンタクト領域に開口部を有するように形成された層間絶縁膜108と、層間絶縁膜上に半導体膜のコンタクト領域と開口部を通じて接続するように形成された複数の電極とを具備する。また層間絶縁膜中の水素濃度によってゲート電極と層間絶縁膜との接合状態を制御する。
請求項（抜粋）：
透明絶縁性基板上に形成された第1の基板保護膜と、前記第1の基板保護膜上に形成された所定形状の第2の基板保護膜と、前記第2の基板保護膜上に形成されたチャネル領域とこのチャネル領域を挟んで形成されたコンタクト領域とを有する半導体膜と、前記半導体膜の上側からこの半導体膜のコンタクト領域に開口部を有するように形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上の前記半導体膜のチャネル領域に対応する領域に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極の上側から前記半導体膜のコンタクト領域に開口部を有するように形成された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に前記半導体膜のコンタクト領域と前記開口部を通じて接続するように形成された複数の電極とを具備することを特徴とする薄膜トランジスタ。
FI (2件)：
H01L 29/78 626 C
, H01L 29/78 616 S
