半導体装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：富田和子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-225364
公開番号（公開出願番号）：特開平9-073785
出願日： 1995年09月01日
公開日（公表日）： 1997年03月18日
要約：

【要約】【目的】読出し後のイコライズ動作と、書込後のライトリカバリ動作を1つの制御信号を用いて行ない、小型で高速動作する半導体装置を提供すること。【構成】データ線対、ワード線を1以上備え、両線の交差位置に対してメモリセルを配置したメモリ回路と、いずれかのメモリセルへの書き込み動作が行なわれた後に、対応するデータ線の電圧を所定値にするライトリカバリ回路と、いずれかのメモリセルからの読み込み動作が行なわれた後に、対応するデータ線の電圧を所定値にするイコライズ回路と、前記ライトリカバリ回路および前記イコライズ回路を、同一の制御信号で駆動するように、該制御信号を生成する制御信号発生回路とを、有する半導体装置である。

請求項（抜粋）：

データ線対、ワード線を1以上備え、両線の交差位置に対してメモリセルを1以上配置したメモリ回路と、いずれかのメモリセルへの書き込み動作が行なわれた後に、対応するデータ線対の電圧を所定値にするライトリカバリ回路と、いずれかのメモリセルからの読み込み動作が行なわれた後に、対応するデータ線対の電圧を所定値にするイコライズ回路と、前記ライトリカバリ回路および前記イコライズ回路を、同一の制御信号で駆動するように、該制御信号を生成する制御信号発生回路とを、有する半導体装置。

IPC (2件)：

G11C 11/413 , G11C 11/41

FI (2件)：

G11C 11/34 341 A , G11C 11/34 M

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平1-251494
特開昭62-024494
特開昭62-146484

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