特許
J-GLOBAL ID:200903078371544644
樹脂封止型半導体装置
発明者:
,
,
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
高橋 明夫 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-109033
公開番号(公開出願番号):特開平6-326220
出願日: 1993年05月11日
公開日(公表日): 1994年11月25日
要約:
【要約】【構成】1分子当り2個以上のエポキシ基とビフェニル骨格とを有するビフェニル型エポキシ樹脂、1分子当り2個以上の水酸基を有するフェノールとアラルキルエーテルとの重縮合物、有機ホスフィン系化合物の有機ボロン塩、及び無機充填剤を含む樹脂組成物で封止されている樹脂封止型半導体装置。【効果】耐はんだリフロー性、耐湿信頼性並びに高温放置信頼性に優れ、特に、金ワイヤとアルミニウム電極接合部の高温における接続信頼性が優れており、実装の高密度化を図ることができる。
請求項(抜粋):
(a)一般式〔1〕【化1】(式中、Rは水素原子またはメチル基を示し互いに異なっていてもよい、nは0〜2の整数を示す。)で表されるビフェニル型エポキシ樹脂、(b)一般式〔2〕【化2】(式中、mは1〜10の整数を示す。)で表される硬化剤、(c)一般式〔3〕【化3】(式中、R1〜R6はフェニル基,ブチル基,シクロヘキサン環を示し互いに異なっていてもよい。)で表される硬化促進剤と、(d)組成物の全体に対して50〜90容量%の無機充填剤、を含むエポキシ樹脂組成物で封止されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
IPC (4件):
H01L 23/29
, H01L 23/31
, C08G 59/20 NHQ
, C08G 59/40 NJL
引用特許:
審査官引用 (2件)
-
半導体装置およびその製法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-133416
出願人:日東電工株式会社
-
特開平4-015216
前のページに戻る