特許

J-GLOBAL ID：200903078386226436

強誘電体薄膜、誘電体薄膜及び強誘電体薄膜を含む集積回路の製造方法

発明者： 牛久保 真帆 ,  伊藤 康幸 ,  横山 誠一 ,  荻本 泰史 ,  緒方 信人 ,  木場 正義
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 川口 義雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-225251
公開番号（公開出願番号）：特開平9-069614
出願日： 1995年09月01日
公開日（公表日）： 1997年03月11日
要約：

【要約】【課題】 ゾルゲル法またはMOD法による、ビスマス層状構造化化合物材料からなる強誘電体薄膜または誘電体薄膜の成膜法において、成膜温度の低温化、短時間化、リーク電流の低減を図ることを目的とする。【解決手段】 少なくとも一種類の金属を含み、溶媒中の金属錯塩からなる前駆体溶液を、基板上の一以上の層からなる膜上に、塗布し薄膜を形成する段階(ステップ1)と、前駆体溶液の溶媒を除去するために、薄膜を乾燥する段階(ステップ2)と、アモルファス状態の薄膜を形成する段階を経ずに、薄膜中の有機物を熱分解して除去すると同時に薄膜材料を結晶化させるために、一定の昇温速度以上の速度で結晶化温度以上に加熱する段階(ステップ3)とを含む、薄膜の製造方法。

請求項（抜粋）：

ビスマス層状構造化合物材料からなる強誘電体薄膜又は誘電体薄膜の製造方法であって、少なくとも一種類の金属を含み、溶媒中の金属錯塩からなる前駆体溶液を、基板上の一以上の層からなる膜上に、塗布し薄膜を形成する段階と、前記前駆体溶液の溶媒を除去するために、前記薄膜を乾燥する段階と、アモルファス状態の薄膜を形成する段階を経ずに、前記薄膜中の有機物を熱分解して除去すると同時に薄膜材料を結晶化させるために、一定の昇温速度以上の速度で結晶化温度以上に加熱する段階とを含む、薄膜の製造方法。

IPC (10件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  C01G 35/00 ,  C30B 29/22 ,  H01G 4/33 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 21/316

FI (7件)：

H01L 27/10 651 ,  C01G 35/00 C ,  C30B 29/22 D ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 21/316 P ,  H01G 4/06 102 ,  H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特表平7-502149
  
• 強誘電体薄膜の形成方法及び半導体素子のキャパシタ構造の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-245516   出願人：ソニー株式会社