特許
J-GLOBAL ID:200903078388798887

ホウ素含有窒化アルミニウム薄膜および製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 上代 哲司 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-041687
公開番号(公開出願番号):特開平8-239752
出願日: 1995年03月01日
公開日(公表日): 1996年09月17日
要約:
【要約】【目的】 窒化アルミニウムよりも高い硬度、広いバンドギャップ、大きな音速、を有し価電子制御が容易で、結晶性のよいホウ素含有窒化アルミニウム薄膜を提供する。【効果】 窒化アルミニウムよりも高い硬度、広いバンドギャップ、大きな音速を有し価電子制御が容易で、結晶性のよいホウ素含有窒化アルミニウム薄膜を容易に得ることができる。
請求項(抜粋):
単結晶基板(1)上に中間層として窒化アルミニウム単結晶薄膜(2)が形成され、前記窒化アルミニウム単結晶薄膜上にホウ素含有窒化アルミニウム単結晶薄膜(3)が形成された構造をもつことを特徴とするホウ素含有窒化アルミニウム単結晶薄膜。
IPC (7件):
C23C 14/06 ,  B23P 15/28 ,  C23C 16/34 ,  C30B 29/38 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  B23B 27/14
FI (8件):
C23C 14/06 A ,  C23C 14/06 P ,  B23P 15/28 A ,  C23C 16/34 ,  C30B 29/38 C ,  H01L 21/203 Z ,  H01L 21/205 ,  B23B 27/14 A
引用特許:
審査官引用 (1件)

前のページに戻る