特許
J-GLOBAL ID:200903078392778050
電子機器用銅合金及びその製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-313526
公開番号(公開出願番号):特開平9-302427
出願日: 1996年11月25日
公開日(公表日): 1997年11月25日
要約:
【要約】【課題】 リードフレーム等のピン間の短絡及びめっき層の剥離を防止し、又打抜加工での寸法精度及び金型寿命の改善を図る。【解決手段】 Crを 0.1〜0.4wt%、Snを0.05〜2.0wt%、Znを0.05〜2.0wt%、Sr、Ba、Biの1種以上を総計で 0.002〜0.2wt%、Zrを0.2wt%未満(0wt%を含む)を含み、Pを0.01wt% 未満、Sを0.005wt%未満、O2 を0.005wt%未満とし、残部Cu及び不可避不純物からなる銅合金、又はCrを 0.1〜0.4wt%、Zrを0.2wt%未満、Snを0.05〜2.0wt%、Znを0.05〜2.0wt%、Sr、Ba、Biの1種以上を総計で 0.002〜0.2wt%含み、Pを0.01wt% 未満、Sを0.005wt%未満、O2 を0.005wt%未満とし、残部Cu及び不可避不純物からなる銅合金であって、前記銅合金に含まれる晶出物又は析出物の大きさが 3μm未満、前記銅合金の結晶粒度が 5μm未満である電子機器用銅合金。
請求項(抜粋):
Crを 0.1〜0.4wt%、Snを0.05〜2.0wt%、Znを0.05〜2.0wt%、Sr、Ba、Biの1種以上を総計で 0.002〜0.2wt%、Zrを0.2wt%未満(0wt%を含む)含み、Pを0.01wt% 未満、S及びO2 の含有量をそれぞれ0.005wt%未満とし、残部Cu及び不可避不純物からなる銅合金、又はCrを 0.1〜0.4wt%、Zrを0.2wt%未満、Snを0.05〜2.0wt%、Znを0.05〜2.0wt%、Sr、Ba、Biの1種以上を総計で 0.002〜0.2wt%含み、Pを 0.01wt%未満、S及びO2 の含有量をそれぞれ0.005wt%未満とし、残部Cu及び不可避不純物からなる銅合金であって、前記銅合金に含まれる晶出物又は析出物の大きさが 3μm未満、前記銅合金の結晶粒度が 5μm未満であることを特徴とする電子機器用銅合金。
IPC (5件):
C22C 9/02
, C22C 9/04
, C22F 1/08
, H01L 23/50
, H05K 1/09
FI (5件):
C22C 9/02
, C22C 9/04
, C22F 1/08 B
, H01L 23/50 V
, H05K 1/09 A
引用特許:
審査官引用 (18件)
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特開昭63-038543
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特開昭63-093837
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特開昭63-109132
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特開昭63-310929
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特開昭63-310930
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特開昭64-056842
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特開平1-198439
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特開平4-231445
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高強度高導電性銅合金の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-148226
出願人:古河電気工業株式会社
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高導電性銅合金
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-357182
出願人:日鉱金属株式会社
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特開昭63-038543
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特開昭63-093837
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特開昭63-109132
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特開昭63-310929
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特開昭63-310930
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特開昭64-056842
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特開平1-198439
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特開平4-231445
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