特許
J-GLOBAL ID:200903078403261534

半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小川 勝男
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-093802
公開番号(公開出願番号):特開平9-283681
出願日: 1996年04月16日
公開日(公表日): 1997年10月31日
要約:
【要約】【課題】ヒートシンクを用い、外部端子をパッケージの上面に設けた構造の半導体装置で、トランスファモールド法による樹脂封止を可能にする。【解決手段】外部端子板6の先端部分に貫通しないねじ穴7を設け、ヒートシンク3の片面を下金型、その反対の面の周囲の部分とねじ穴7を設けた外部端子6の表面を同時に上金型に接触させることによりトランスファーモールドを行う。
請求項(抜粋):
少なくとも1枚の半導体素子と、ヒートシンクと、前記半導体素子と前記ヒートシンクを電気的に絶縁する部材と、複数の外部端子板と、前記半導体素子の電極と前記外部端子板を電気的に接続する部材と、これらを封止する樹脂からなる半導体装置において、前記外部端子板の先端部分に貫通しないねじ穴を設け、前記ねじ穴を設けた前記外部端子の表面が樹脂により封止されておらず、外部に露出していることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件):
H01L 23/48 ,  H01L 21/56 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18
FI (3件):
H01L 23/48 G ,  H01L 21/56 T ,  H01L 25/04 C

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