特許
J-GLOBAL ID：200903078415656135

半導体装置及びその製造方法

発明者：
篠宮 日出雄

篠宮 日出雄 について

, 
杉本 茂樹

杉本 茂樹 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-006240
公開番号（公開出願番号）：特開平11-204526
出願日： 1998年01月16日
公開日（公表日）： 1999年07月30日
要約：
【要約】【課題】第一配線と第二配線とを電気的に接続する接続孔において、第二配線たるアルミ金属の表面上に著しい凹凸が発生してしまうという欠点がある。また、接続孔内に被着される膜(アルミ金属を除く)の膜厚が増加するため、接続孔の電気抵抗が増加するという欠点もある。【解決手段】上記課題を解決するため、本願発明は、アルミ34と、前記アルミ34上に形成された二酸化シリコン膜35と、前記二酸化シリコン膜35上にチタン膜36を介在さて形成された窒化チタン膜37と、前記窒化チタン膜37の上面の所定の位置から前記アルミ34の上面にまで形成された接続孔38と、少なくとも前記接続孔38内に形成されたアルミ40と、前記接続孔38の側面と前記アルミ40との間に形成された、前記アルミ40を前記接続孔38に形成させやすくさせるためのチタン膜39とからなることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
金属配線と、前記金属配線上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に他の層を介在して形成された導電膜と、前記導電膜の上面の所定の位置から前記金属配線の上面にまで形成された接続孔と、少なくとも前記接続孔内に形成された配線と、前記接続孔の側面と前記配線との間に形成され、前記配線を前記接続孔に形成させやすくさせるための潤滑膜とからなる半導体装置。
FI (2件)：
H01L 21/88 N ,  H01L 21/88 R
引用特許：
審査官引用 (4件)
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