特許
J-GLOBAL ID：200903051218059790
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-148318
公開番号（公開出願番号）：特開平8-017920
出願日： 1994年06月29日
公開日（公表日）： 1996年01月19日
要約：
【要約】【目的】電極材金属により確実に埋め込まれたコンタクトホ-ル及び埋め込み配線層を有する半導体装置とその製造方法を提供することである。【構成】本発明による半導体装置は、半導体基板11上のSiO2膜13に形成されたコンタクトホ-ル14と、コンタクトホ-ル14の内部及びSiO2膜13上の全面に形成されたTi膜21及びTiN膜22と、該TiN膜22上に形成されかつコンタクトホ-ル14の側壁部に形成されたTi膜23aとを有するバリアメタル膜20と、コンタクトホ-ル14を埋め込むAl合金膜15とからなる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上の絶縁膜に形成された開口部と、上記開口部を含む上記絶縁膜上に設けられ高融点金属又は高融点金属化合物からなる薄膜と、上記開口部を埋め込む導電層とからなる半導体装置において、少なくとも上記開口部の側壁部分に設けれた上記薄膜の第1の最上層膜と、上記絶縁膜上に設けられた上記薄膜の第2の最上層膜とは異なることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/768
, H01L 21/28 301
