特許
J-GLOBAL ID：200903078437243306
単結晶シリコン引上げ方法、引上げ装置および黒鉛るつぼならびに石英るつぼ
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
村上 友一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-100408
公開番号（公開出願番号）：特開平11-278992
出願日： 1998年03月27日
公開日（公表日）： 1999年10月12日
要約：
【要約】【課題】 石英るつぼと黒鉛るつぼに生じる反応を抑制することで、両るつぼの延命を図る。【解決手段】 石英るつぼ14と、この石英るつぼ14に密着する黒鉛るつぼ12とを有する単結晶シリコン引上げ装置10において、石英るつぼ14と密着する黒鉛るつぼ12の表面に反応抑制材となるSiCコート36を施す。このようにSiCコート36を黒鉛るつぼ12の表面に施すと、両るつぼが直接接触するのを防止することができる。このため単結晶シリコン42の引上げ時といった高温環境下でも両るつぼ間の反応が抑えられるので、両るつぼの減肉量を低減させることができる。このため両るつぼの延命を図ることが可能となり、単結晶シリコン42の引上げコストの低減や、単結晶シリコン42の大口径化を促進させることができる。
請求項（抜粋）：
外表面を黒鉛るつぼで支持された石英るつぼに溶融シリコンを保持させ、この溶融シリコンから単結晶シリコンの引上げをなす単結晶シリコンの引上げ方法において、前記黒鉛るつぼと前記石英るつぼとの間に介在された反応抑制材を前記黒鉛るつぼと前記石英るつぼとに密着させ、前記反応抑制材と両るつぼとの反応を抑制させつつ前記単結晶シリコンの引上げをなすことを特徴とする単結晶シリコン引上げ方法。
IPC (2件)：
C30B 29/06 502
, C30B 15/10
C30B 29/06 502 B
, C30B 15/10
