有機薄膜トランジスタとその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-299976
公開番号（公開出願番号）：特開2004-134694
出願日： 2002年10月15日
公開日（公表日）： 2004年04月30日
要約：

【課題】本発明は、水分や酸素などによる有機半導体材料の劣化のない有機薄膜トランジスタを製造することを課題とし、また初期性能を長時間維持できる長寿命の有機薄膜トランジスタの提供を課題とする。【解決手段】少なくともプラスチック基材上に、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極、絶縁層および有機半導体からなる活性層を含む有機薄膜トランジスタにおいて、該プラスチック基材の表面の少なくとも有機薄膜トランジスタを形成する面側にガスバリア層を形成してあることを特徴とする有機薄膜トランジスタを提供するものである。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

少なくともプラスチック基材上に、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極、絶縁層および有機半導体からなる活性層を含む有機薄膜トランジスタにおいて、該プラスチック基材の表面の少なくとも有機薄膜トランジスタを形成する面側にガスバリア層を形成してあることを特徴とする有機薄膜トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L29/786 , H01L51/00

FI (3件)：

H01L29/78 618B , H01L29/78 626C , H01L29/28

Fターム (25件)：

5F110AA05 , 5F110BB01 , 5F110BB09 , 5F110CC03 , 5F110DD01 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD17 , 5F110DD18 , 5F110DD25 , 5F110DD30 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE04 , 5F110EE07 , 5F110FF01 , 5F110FF27 , 5F110GG05 , 5F110GG25 , 5F110GG42 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK04 , 5F110HK07 , 5F110QQ06

引用特許：

審査官引用 (7件)

基板、表示素子および表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-168546 出願人：松下電器産業株式会社
熱可塑性飽和ノルボルネン系樹脂成形品及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-289496 出願人：日本ゼオン株式会社
液晶基板および偏光フィルム
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-335915 出願人：日本合成ゴム株式会社

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