特許
J-GLOBAL ID：200903078454757380
磁気検出素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野▲崎▼ 照夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-389095
公開番号（公開出願番号）：特開2003-017784
出願日： 2001年12月21日
公開日（公表日）： 2003年01月17日
要約：
【要約】【課題】 従来のエクスチェンジバイアス型の磁気検出素子の製造方法では、固定磁性層とフリー磁性層の磁化方向を直交させることが難しかった。【解決手段】 第1の反強磁性層12及び固定磁性層13を含む多層膜Aを第2の反強磁性層19)を積層しない状態で、第1の磁場中アニールにかけ前記固定磁性層の磁化方向を所定の方向に固定する。その後、第2の反強磁性層19を積層した後、第2の磁場中アニールにおいて第2の反強磁性層の磁化方向を固定する。
請求項（抜粋）：
(a)基板上に第1の反強磁性層、固定磁性層、非磁性材料層、フリー磁性層、非磁性中間層、強磁性層、及び保護膜を有する多層膜を成膜する工程と、(b)前記多層膜を、第1の熱処理温度、第1の大きさの磁界中で、磁場中アニールして前記固定磁性層の磁化方向を所定の方向に固定する工程と、(c)前記保護膜、及び前記強磁性層を所定厚さ削る工程と、(d)前記強磁性層を磁性材料を用いて再成膜し、さらに前記強磁性層上に第2の反強磁性層を連続成膜する工程と、(e)前記第2の反強磁性層が積層された多層膜を、第2の熱処理温度、第2の大きさの磁界中で磁場中アニールすることにより、前記フリー磁性層の磁化方向を前記固定磁性層の磁化方向と交叉する方向に向ける工程と、(f)前記第2の反強磁性層上に、トラック幅方向に間隔をあけて一対のレジストを積層し、前記第2の反強磁性層の前記レジストによって挟まれた部位をトラック幅方向に対して垂直方向に削り込むことにより凹部を形成する工程と、を有することを特徴とする磁気検出素子の製造方法。
IPC (8件)：
H01L 43/12
, G01R 33/09
, G11B 5/39
, H01F 10/16
, H01F 10/30
, H01F 10/32
, H01F 41/32
, H01L 43/08
H01L 43/12
, G11B 5/39
, H01F 10/16
, H01F 10/30
, H01F 10/32
, H01F 41/32
, H01L 43/08 Z
, G01R 33/06 R
2G017AD55
, 2G017AD63
, 2G017AD65
, 5D034BA04
, 5D034CA05
, 5D034DA07
, 5E049AA01
, 5E049AA04
, 5E049AA07
, 5E049BA16
, 5E049CB02
, 5E049DB12
