特許
J-GLOBAL ID：200903078456623241
バンプ電極製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 幸男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-102988
公開番号（公開出願番号）：特開平8-279513
出願日： 1995年04月04日
公開日（公表日）： 1996年10月22日
要約：
【要約】【構成】 バンプ26からはみ出す各下地金属層20、22を、それぞれの下地金属層20、22を侵食するがバンプ26を侵食しない性質の互いに異なるエッチング液に取り替えて、各下地金属層20、22毎にエッチング処理する。【効果】 各下地金属層20、22毎のエッチング液の選択により、バンプ26を侵食することなく下地金属層20、22の不要な部分を効果的に除去することができる。従って、バンプ電極28の仕上がり寸法にバラツキを生じることなく、バンプ電極28の品質および歩留まりの向上を図ることができ、またこのバンプ電極28の組立て工程での品質の向上を図ることができる。
請求項（抜粋）：
半導体装置の電極を外部配線に接続するためのバンプ電極を前記半導体装置に形成するバンプ電極製造方法であって、前記電極上に材料を互いに異にする複数の下地金属層を積層して形成すること、該下地金属層の表面に位置する下地金属層上に前記下地金属層の何れとも材料を異にする金属材で所定形状にバンプを形成すること、該バンプからはみ出す各下地金属層を、それぞれの下地金属層を侵食するがバンプを侵食しない性質の互いに異なるエッチング液で各下地金属層毎にエッチング処理することを含むバンプ電極製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/321
, C23F 1/00
, H01L 21/308
H01L 21/92 604 Q
, C23F 1/00 A
, H01L 21/308 F
, H01L 21/92 604 T
