特許

J-GLOBAL ID：200903078504812159

半導体装置の製造方法

発明者： 辰巳 徹 ,  酒井 朗 ,  五十嵐 信行
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-070933
公開番号（公開出願番号）：特開平10-256169
出願日： 1997年03月10日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：

【要約】【課題】 膜中に貫通転位が無く、表面が平坦な、完全に格子緩和したゲルマニウム膜もしくはシリコンゲルマニウム混晶膜をシリコン基板上に成長させる方法を提供する。【解決手段】 シリコン基板上にゲルマニウム膜を層状にエピタキシャル成長させる工程と、該ゲルマニウム膜の上部にシリコン若しくはシリコンゲルマニウム混晶からなる被覆層を形成する工程と、熱処理工程を有する半導体装置の製造方法。

請求項（抜粋）：

シリコン基板上にゲルマニウム膜を層状にエピタキシャル成長させる工程と、該ゲルマニウム膜の上部にシリコン若しくはシリコンゲルマニウム混晶からなる被覆層を形成する工程と、熱処理工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/324 ,  H01L 27/15 ,  H01L 31/02

FI (5件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/324 X ,  H01L 27/15 Z ,  H01L 31/02 A