特許

J-GLOBAL ID：200903078514078585

磁気検出素子及びその製造方法

発明者： 西山 義弘
出願人/特許権者： アルプス電気株式会社
代理人 (1件)： 野▲崎▼ 照夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-279194
公開番号（公開出願番号）：特開2003-086860
出願日： 2001年09月14日
公開日（公表日）： 2003年03月20日
要約：

【要約】【課題】 多層膜の上面のみに上部電極層を接合させることにより、磁気検出素子の磁界検出感度の低下を防止できる磁気検出素子及びその製造方法を提供する【解決手段】 多層膜T1の側端面T1sの傾斜角度が、固定磁性層26中の位置の上側より下側の方が大きくなるように、多層膜T1を形成する。これにより、多層膜T1の側端面T1sの傾斜角度が大きくなっている部分が持ち上げ層の役目を果たし、絶縁層33の上面と多層膜T1の上面が同一面となり、側端面T1sと上部電極層34の電気的な短絡を防止できる。

請求項（抜粋）：

反強磁性層、固定磁性層、非磁性材料層及びフリー磁性層を有する多層膜、前記多層膜の各層の膜面と垂直方向に電流を供給する上部電極層及び下部電極層を有する磁気検出素子において、前記多層膜のトラック幅方向における側端面の、前記多層膜の上面に対する傾斜角度は、前記フリー磁性層より下層の所定の位置の上側より下側の方が大きいことを特徴とする磁気検出素子。

IPC (5件)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/16 ,  H01L 43/12

FI (5件)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/16 ,  H01L 43/12 ,  G01R 33/06 R

Fターム (21件)：

2G017AD55 ,  2G017AD56 ,  2G017AD63 ,  2G017AD65 ,  5D034BA03 ,  5D034BA05 ,  5D034BA08 ,  5D034BA12 ,  5D034BA15 ,  5D034BB08 ,  5D034CA04 ,  5D034CA08 ,  5D034DA07 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049AA09 ,  5E049AC05 ,  5E049BA16 ,  5E049CB02 ,  5E049DB12

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、磁気再生装置及び磁気記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-099360   出願人：株式会社東芝