特許
J-GLOBAL ID：200903078530006292

ビスフェノールA合成用混床式イオン交換樹脂床

発明者：
キッシンジャー,ゲイロード・マイケル

キッシンジャー,ゲイロード・マイケル について

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シャファー,シェルドン・ジェイ

シャファー,シェルドン・ジェイ について

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アチャルヤ,ハリシュ・アール

アチャルヤ,ハリシュ・アール について

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ピーマンズ,ラディー・フランソワ・アラン・ジェイ

ピーマンズ,ラディー・フランソワ・アラン・ジェイ について

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スチラーマン,エデュアード

スチラーマン,エデュアード について


出願人/特許権者：
ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ

ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ について


代理人 (1件)： 松本 研一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-600957
公開番号（公開出願番号）：特表2002-537116
出願日： 2000年01月31日
公開日（公表日）： 2002年11月05日
要約：
【要約】本発明は、圧力降下が小さく、触媒破壊が少なく、触媒失活が少ないイオン交換樹脂触媒床、並びにかかるイオン交換樹脂触媒床を用いた改善されたビスフェノールAの製造法である。
請求項（抜粋）：
ゲル状又はマクロ孔質のスルホン酸型イオン交換樹脂触媒床を収容した固定床反応器でフェノールとアセトンからビスフェノールAを製造するためのイオン交換床において、樹脂触媒床が上部層と下部層を有し、 下部層が、上部層よりも架橋度が高く全ベッド体積の50〜95%を占める樹脂からなり、 全ベッド体積の5〜50%を占める床の上部層が、低架橋度の非改質樹脂、又は、スルホン酸基の1〜35モル%をイオン固定によりアルキル-SH含有種で封鎖した低架橋度の樹脂のいずれかからなることを改良点とする、イオン交換床。
IPC (4件)：
B01J 31/10 ,  C07C 37/20 ,  C07C 39/16 ,  C07B 61/00 300
FI (4件)：
B01J 31/10 Z ,  C07C 37/20 ,  C07C 39/16 ,  C07B 61/00 300
Fターム (22件)：
4G069AA02 ,  4G069AA14 ,  4G069BA24A ,  4G069BA24B ,  4G069CB25 ,  4G069CB46 ,  4G069DA06 ,  4G069EA02Y ,  4H006AA02 ,  4H006AB46 ,  4H006AC23 ,  4H006BA72 ,  4H006BA81 ,  4H006BA82 ,  4H006DA64 ,  4H006DA70 ,  4H006DA80 ,  4H006FC52 ,  4H006FE13 ,  4H039CA19 ,  4H039CD10 ,  4H039CD40
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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