エミッタ接地差動増幅器用バイアス回路内蔵の半導体集積回路

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：机昌彦 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-007307
公開番号（公開出願番号）：特開2003-209446
出願日： 2002年01月16日
公開日（公表日）： 2003年07月25日
要約：

【要約】【課題】差動対に安定な電流を供給する手段を改善する。【解決手段】電源Vccから電流を一括供給する電流供給用抵抗素子R3と、電流供給用抵抗素子R3から電流が供給されるPNP型トランジスタ対Q3,Q4およびPNP型トランジスタ対から供給される電流をNPN型トランジスタ対Q1,Q2のベース電極に与える抵抗素子R1,R2からなる差動増幅器のベース電流供給手段と、NPN型トランジスタ対Q1,Q2のベース電極に入力端子IN1,IN2から与えられる入力信号の高周波をバイパスする容量素子C1,C2とを備えるので、エミッタ接地トランジスタのベースバイアスを電圧で与えるのではなく、電流源からベース電流を供給する回路をシンプルに構成する。

請求項（抜粋）：

エミッタ電極が直接接地されるエミッタ接地NPN型トランジスタ対を備える差動増幅器の前記NPN型トランジスタ対それぞれのベース電極ごとに入力信号レベルの減衰防止用高抵抗素子が接続され、その減衰防止用高抵抗素子を介してベース電流を供給するPNP型トランジスタ対の対応するコレクタ電極に高周波バイパス用容量素子がそれぞれ接続され、さらに前記PNP型トランジスタ対の共通接続されたエミッタ電極と電源電位との間に電流供給用抵抗素子が挿入接続され、その電流供給用抵抗素子を流れる電流により前記NPN型トランジスタ対のコレクタ電流も制御する機能を有することを特徴とするエミッタ接地差動増幅器用バイアス回路内蔵の半導体集積回路。

Fターム (50件)：

5J066AA01 , 5J066AA12 , 5J066AA59 , 5J066CA13 , 5J066CA14 , 5J066CA36 , 5J066CA81 , 5J066FA10 , 5J066HA08 , 5J066HA25 , 5J066HA29 , 5J066HA33 , 5J066KA02 , 5J066KA12 , 5J066MA01 , 5J066MA21 , 5J066MD05 , 5J066ND01 , 5J066ND03 , 5J066ND11 , 5J066ND22 , 5J066PD02 , 5J066SA13 , 5J066TA02 , 5J066TA06 , 5J500AA01 , 5J500AA12 , 5J500AA59 , 5J500AC13 , 5J500AC14 , 5J500AC36 , 5J500AC81 , 5J500AF10 , 5J500AH08 , 5J500AH25 , 5J500AH29 , 5J500AH33 , 5J500AK02 , 5J500AK12 , 5J500AM01 , 5J500AM21 , 5J500AS13 , 5J500AT02 , 5J500AT06 , 5J500DM05 , 5J500DN01 , 5J500DN03 , 5J500DN11 , 5J500DN22 , 5J500DP02

引用特許：

審査官引用 (4件)

トランジスタ高周波増幅回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-216796 出願人：日本電気株式会社, 埼玉日本電気株式会社
特開昭49-102263
特開昭59-097661

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