特許
J-GLOBAL ID：200903078579667219

集積化磁気センサの積層膜構造

発明者：
今野 秀人

今野 秀人 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： ▲柳▼川 信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-213872
公開番号（公開出願番号）：特開平9-063843
出願日： 1995年08月23日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：
【要約】【課題】 最終的にIC部分から出力される信号の波形を任意に制御する。【解決手段】 集積化磁気センサは拡散層1上にアルミニウム電極2と、スピンオングラス3と、絶縁層4と、磁気抵抗素子薄膜5と、導体膜6と、パッシベーション膜7とを積層して構成されている。パッシベーション膜7の形成方法としてスパッタリング工法を用い、磁気抵抗素子薄膜5がNi82Fe12Co6 の場合には磁気抵抗素子薄膜5に圧縮応力が付加され、逆磁歪効果によって素子面法線方向に異方性が分散されるので、R-H曲線において飽和電界が大きな方向に変化する。パッシベーション膜7の形成方法として常圧CVDを用い、磁気抵抗素子薄膜5がNi82Fe12Co6 の場合には磁気抵抗素子薄膜5に引張り応力が付加され、素子面内にて異方性が分散されるので、R-H曲線において磁界強度の変化に対応する抵抗値変化の割合ΔR/ΔHが若干大きな方向に変化する。
請求項（抜粋）：
チップ上に異方性磁気抵抗効果を有する磁気抵抗効果素子薄膜を形成してなる磁気センサの積層膜構造であって、前記チップ上にパッシベーションとして形成されかつ前記磁気抵抗効果素子薄膜の出力特性に応じて前記磁気抵抗効果素子薄膜に圧縮応力を付与する工法及び前記磁気抵抗効果素子薄膜に引張り応力を付与する工法のうちのいずれかの工法で形成される保護膜を有することを特徴とする積層膜構造。
IPC (5件)：
H01F 10/14 ,  C23C 14/34 ,  C23C 16/06 ,  G01R 33/09 ,  H01L 43/08
FI (5件)：
H01F 10/14 ,  C23C 14/34 P ,  C23C 16/06 ,  H01L 43/08 H ,  G01R 33/06 R
引用特許：
審査官引用 (3件)
  • 特開昭60-064484
  • 集積化磁気抵抗効果センサ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-117955   出願人：日本電気株式会社
  • 特開昭63-246806

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